WLPは多様化したアプリケーションに対応する為、RFパワーを下部電極に 印加(RIE方式)又は、上部電極に印加(DP方式)を実現しております。
6~8インチのSi、Poly-Siなどのエッチングやポリイミド系樹脂のエッチング及びフォトレジストのアッシングなど多種多様なプロセスを ご利用頂けます。
価格は低廉でありながら、搭載されたシーケンサにより各種エッチング条件の管理を行う事が出来る高性能でコストパフォーマンスに 優れた装置です。
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